【编者按】在科技浪潮的汹涌澎湃中，存储芯片市场正上演着一场静默而激烈的角逐。当全球目光聚焦于高端HBM（高带宽内存）的军备竞赛时，一个意想不到的转折正在悄然发生：传统内存价格的强势反弹，正在重塑行业格局。三星电子，这位曾经的存储巨头，在2025年末凭借“老将”DDR4和NAND的逆袭，打出了一场漂亮的业绩翻身仗。这不仅是市场供需的简单波动，更是一场关于技术迭代、产能博弈与战略耐力的深层较量。当SK海力士在HBM领域高歌猛进时，三星如何借力传统市场的“记忆反弹”缩小差距？这场复苏是昙花一现，还是持久战的开端？让我们透过财报数据与价格曲线，揭开存储江湖的冰与火之歌。
内存反弹助力缩小与SK海力士的HBM差距
随着传统内存价格在2025年末强势反弹，三星电子预计将交出显著走强的第四季度成绩单，延续其自2023年内存市场低迷期利润下滑后的复苏态势。
三星计划于本周发布2025年10月至12月的初步业绩。根据本地金融数据提供商FnGuide汇总券商盈利预测编制的市场基准共识，预计第四季度营收为88.62万亿韩元（约合613亿美元），营业利润约为16万亿韩元。
这意味着营收同比增长11.8%，营业利润同比暴增146.5%。
更近期的券商预估显示，实际表现可能比这一共识更为强劲。根据韩联社Infomax汇总过去一个月10家本地证券公司报告的数据，三星的平均营业利润预估高达18.99万亿韩元，其中超过16万亿韩元预计来自设备解决方案（DS）半导体部门。
这标志着相较于第三季度12.20万亿韩元的营业利润，实现了大幅的环比改善。
IBK证券发布了最为激进的展望，预估第四季度营业利润将达到21.75万亿韩元。IBK分析师金文浩将此次上调归因于内存价格上涨速度快于预期以及韩元走弱的影响。他指出，大部分半导体交易以美元结算，当兑换成本地货币时，会放大报表上的收益。
历史上，三星最高的季度营业利润纪录仍是2018年第三季度上一次全球内存超级周期中创下的17.57万亿韩元。
此次盈利反弹恰逢2025年末内存价格飙升，尤其是传统DRAM和NAND。根据DRAMeXchange的数据，PC用DRAM DDR4 8Gb的平均固定合同价格从2024年底的1.35美元上涨至2025年底的9.30美元，涨幅近七倍。仅第四季度价格就上涨了32.9%，达到自2016年开始追踪该数据以来的最高水平。
DDR4是2014年首次推出的较旧内存标准。此次价格飙升主要源于供应紧张，而非终端需求的全面扩张，因为主要内存制造商减少或转换了传统生产线，以专注于用于服务器和人工智能加速器的高带宽内存（HBM）。
NAND闪存价格也遵循了类似的路径。DRAMeXchange数据显示，用于存储卡和USB设备的通用128Gb NAND产品价格在过去一年上涨了2.76倍。
三星的规模使其在这种环境下获得了不成比例的收益。根据Counterpoint Research的数据，在传统DRAM和NAND强劲需求的支撑下，三星于2025年第三季度以194亿美元的内存营收重登全球内存市场榜首。但三星的DRAM营收份额从一年前的40%下降至33%，落后于SK海力士的34%，而SK海力士在HBM领域仍保持着明显的领导地位。
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